Transistores de Efecto de Campo : A Metal y Oxido/
Idioma: Español; Detalles de publicación: México: Centro Regional de Ayuda Técnica, 1973.Descripción: 142 páginas. Ilustraciones + Figuras. 24 x 17 cmTema(s): Clasificación CDD:- 621.381528 21 ed. R532
Contenidos:
1. Introducción -- 2. Principios Fisicos Basicos del Efecto de Campo -- 3. La Teoria del Funcionamiento del Transistor a Semiconductor de Metal y Oxido por Efecto de Campo (TEC MOS) -- 4. Los Tres Modos de Funcionamiento del Transistor a Semiconductor de Metal y Oxido por Efecto de Campo -- 5. El Estado de la Tecnologia de Seconductores a Netal y Oxido -- 6. Transistores a Semiconductor de Metal y Oxido por Efecto de Campo y sus Caracteristicas Electricas Parametros de Circuito y Aplicaciones -- 7. Aplicaciones Digitales de los Transistores a Semiconductor de Metal y Oxido.
Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Signatura | URL | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras |
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Libros General | BIBLIOTECA EDUARDO COTE LAMUS pas. sala 2 | Colección General | 621.381528 R532 (Navegar estantería(Abre debajo)) | Enlace al recurso | C.3 | Disponible | 0002012 |
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Se Incluye Indice, Prefacio.
1. Introducción -- 2. Principios Fisicos Basicos del Efecto de Campo -- 3. La Teoria del Funcionamiento del Transistor a Semiconductor de Metal y Oxido por Efecto de Campo (TEC MOS) -- 4. Los Tres Modos de Funcionamiento del Transistor a Semiconductor de Metal y Oxido por Efecto de Campo -- 5. El Estado de la Tecnologia de Seconductores a Netal y Oxido -- 6. Transistores a Semiconductor de Metal y Oxido por Efecto de Campo y sus Caracteristicas Electricas Parametros de Circuito y Aplicaciones -- 7. Aplicaciones Digitales de los Transistores a Semiconductor de Metal y Oxido.